MAC4DCN |
RFQ for MAC4DCN Required Field |
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| Technical/Catalog Information | MAC4DCN-1G |
| Vendor | ON Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Triac Type | Standard |
| Configuration | Single |
| Voltage - Off State | 800V |
| Current - On State (It (RMS) (Max) | 4A |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.3V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 35mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 35mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 40A @ 60Hz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
| Packaging | Tube |
| Drawing Number | * |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | MAC4DCN 1G MAC4DCN1G MAC4DCN 1GOS ND MAC4DCN1GOSND MAC4DCN-1GOS |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| MAC4DCN | ON Semiconductor | TO | - |
Typical Application |
Features |
| Designed for high volume, low cost, industrial and consumer applications such as motor control; process control; temperature, light and speed control. | • Small Size Surface Mount DPAK Package• Passivated Die for Reliability and Uniformity• Blocking Voltage to 800 V• On−State Current Rating of 4.0 A RMS at 108°C• High Immunity to dv/dt − 500 V/s at 125°C• High Immunity to di/dt − 6.0 A/ms at 125°C• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V Machine Model, C > 400 V |
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Rating |
Symbol |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Repetitive Off−State Voltage (Note 1) (TJ = −40 to 125°C, Sine Wave, 50 to 60 Hz, Gate Open) MAC4DCM MAC4DCN |
VDRM, VRRM |
600 800 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| On−State RMS Current (Full Cycle Sine Wave, 60 Hz, TC = 108°C) |
IT(RMS) |
4.0 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Non-Repetitive Surge Current (One Full Cycle Sine Wave, 60 Hz, TJ = 125°C) |
ITSM |
40 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Circuit Fusing Consideration (t = 8.3 msec) |
I2t |
6.6 |
A2sec | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Gate Power (Pulse Width 3 10 sec, TC = 108°C) |
PGM |
0.5 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Average Gate Power (t = 8.3 msec, TC = 108°C) |
PG(AV) |
0.1 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Gate Current (Pulse Width 3 10sec, TC = 108°C) |
IGM |
0.5 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Gate Voltage (Pulse Width 3 10 sec, TC = 108°C) |
VGM
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